矽锗半导体在未来无线通讯晶片发展趋势
摘要
在无线通讯晶片领域,高整合度、高性能、低成本等,一直是努力科技研发努力的目标。目前在制造射频无线通讯晶片,可使用矽双极(Si Bipolar)、矽锗(SiGe)和砷化镓(GaAs),但这些技术的发展,往往因材料物理特性,而影响到晶片的性能与特性,而本篇将就矽锗(SiGe)半导体具高频特性且可与矽制程搭配,探讨在未来无线通讯晶片领域扮演关键的角色。
SiGe半导体在无线通讯的应用范围
Souuce:拓墣产业研究所整理
在无线通讯晶片领域,高整合度、高性能、低成本等,一直是努力科技研发努力的目标。目前在制造射频无线通讯晶片,可使用矽双极(Si Bipolar)、矽锗(SiGe)和砷化镓(GaAs),但这些技术的发展,往往因材料物理特性,而影响到晶片的性能与特性,而本篇将就矽锗(SiGe)半导体具高频特性且可与矽制程搭配,探讨在未来无线通讯晶片领域扮演关键的角色。
SiGe半导体在无线通讯的应用范围
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